강의노트 전력용 반도체 소자
강의노트
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• 작성 2년 전
• 수정 2년 전
- 전력변환 소자
아래 그림에 전력변환용으로 널리 쓰이고 있는 반도체 소자의 기호를 그림에 나타내었다.
다이오드는 단자의 전압, 전류 조건에 따라서 도통이 결정되는 수동적인 소자이다. 이에 반해 사이리스터는 순방향으로 전압이 인가될 경우라도, 게이트에 전류를 흘려서 소자를 도통시키지 않으면 도통되지 않는다. 사이리스터의 단점은 도통은 제어가능하나 소호는 제어가 불가능하다는 것이다. 이의 단점을 보완할 수 있는 소호도 가능한 소자는 트랜지스터류들이다.
트랜지스터는 포화영역에서 동작시킴으로써 증폭기가 아닌 스위치에 가까운 특성을 가지도록 할 수 있다. 이를 이용하는 소자가 대표적으로 BJT(Bipolar Junction Transistor)이다. 또 다른 종류로는 고속스위칭에 많이 사용하는 MOS-FET(Field Effect Transistor)이다. 그리고 대용량에 많이 사용하는 IGBT(Insulated Gate BJT) 는 게이트를 절연시킴으로써 전류를 줄여서 효율을 높인 소자이다.
트랜지스터를 포화영역에서 동작시킴으로써 증폭기가 아닌 스위치에 가까운 특성을 가짐
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